半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170430
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352054
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】高融点金属層/金属バリア層/シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。【解決手段】積層ゲート電極・配線を構成する高融点金属層10の表面に、もしくはこの高融点金属層内に、この高融点金属よりも酸化物生成自由エネルギーが負で絶対値が大きい、例えばチタン等の元素11を酸素捕獲物質として導入することによって、この元素11が、熱処理工程中に高融点金属層10の表面、もしくは外部から侵入、拡散してくる不純物酸素を捕獲し、高融点金属層10とシリコン層6(7、8)との界面に不純物酸素が偏析するのを防止する。

請求項（抜粋）：

上部の高融点金属層と、下部のシリコン層と、これら両層の間に前記両層が互いに反応するのを防止するための導体バリア層とを含む積層体をゲート電極・配線として備えたMOS型半導体装置であって、前記高融点金属層の表面に、もしくはシリコン層界面より上層の前記高融点金属層あるいは導体バリア層内に、酸素捕獲物質として前記高融点金属層を構成する金属元素より酸化物生成自由エネルギーが負で絶対値が大きい元素を含有させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/43 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (11件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 301 L , H01L 21/28 301 R , H01L 21/28 301 Z , H01L 29/62 G , H01L 21/88 Q , H01L 21/88 R , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

Fターム (82件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB20 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD23 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD66 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH16 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH17 , 5F033HH19 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ73 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F040DA10 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC02 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EF02 , 5F040EH02 , 5F040EL02 , 5F040FA07 , 5F040FB02 , 5F040FC11 , 5F040FC15 , 5F040FC19 , 5F040FC21 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB13 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16

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