特許

J-GLOBAL ID：200903012142982386

半導体光検出器およびその製造方法

発明者： 加藤 和利 ,  秦 進
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246092
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077516
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】低容量でオーミック抵抗が低く、高速応答が可能な半導体光検出器を得る。【構成】半導体基板101上に上部クラッド層104とコア層103と下部クラッド層102とを有し、前記コア層103の幅を前記上部クラッド層104の幅より狭く形成する。また上記積層に選択成長による水平方向の成長を利用する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた、上部クラッド層とコア層と下部クラッド層との少なくとも3つの層を有する半導体光検出器において、前記コア層の幅が、上部クラッド層の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする半導体光検出器。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-228079
  
• 特開平2-228079
  
• 特開昭55-039645
  
• 特開平3-171678