特許

J-GLOBAL ID：200903012153490779

半導体製造装置

発明者： 宮下 恒 ,  金子 豊 ,  大湯 静憲 ,  恒川 助芳 ,  木村 剛 ,  徳田 光雄 ,  小泉 浩太郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078830
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体基板の温度を均一かつ正確に制御すること。【構成】熱線源3から照射された加熱用熱線のうち、少なくとも反応容器2が有する吸収波長帯域の熱線成分を吸収し、その他の熱線成分を透過させる光学的性質を有する外部熱線吸収板4と、加熱状態にある半導体基板6から放射された輻射熱線を吸収し、二次熱線に変換して再放射する光学的性質を有する内部熱線吸収板9を適宜組み合わせて反応容器内外の空間に配設する。内部熱線吸収板は、上記の光学的性質に加え、加熱用熱線中の有効波長成分を実質的に透過する光学的性質を有するか、加熱用熱線を吸収して二次熱線に変換するような光学的性質を有するものであることが望ましい。

請求項（抜粋）：

被加工物である半導体基板を収納するための熱線透過型反応容器と、当該反応容器の外側から半導体基板の少なくとも一方の表面に加熱用熱線を照射するための熱線源とを備えた半導体製造装置において、特定波長範囲の熱線成分を吸収するための熱線吸収板を反応容器外部の加熱用熱線通過空間及び半導体基板近傍の反応容器内部空間のいずれか一方又は双方に配設したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/26 L ,  H01L 21/31 B