特許
J-GLOBAL ID：200903012154747595
高電力、高周波金属-半導体電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175239
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 炭化シリコンの物理的特性を利用した高電力、高周波金属-半導体電界効果トランジスタを提供することにある。【構成】 本発明高電力、高周波金属-半導体電界効果トランジスタは、バルク単結晶炭化シリコン基板10と、該基板上に形成したp導電型炭化シリコンの第1エピタキシャル層12と、該層上に形成したn導電型炭化シリコンの第2エピタキシャル層14とを具える。第2エピタキシャル層は該層の残部より高濃度のn型ドーパントイオンを有する2個の別々のウェル領域(16,18 )を有する。オーム接点をこれらウェル上に設けて一方のウェル領域をソース、他方のウェル領域をドレインとして作用させる。ショットキ金属接点(24)を第2エピタキシャル層の、前記オーム接点間部分及び従ってソース及びドレイン間部分上に設ける。該ショットキ接点にバイアスが供給されると、ソース及びドレイン間の第2エピタキシャル層内に活性チャネルが形成される。
請求項（抜粋）：
単結晶バルク炭化シリコン基板と、前記基板上に形成されたn導電型炭化シリコンのエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層内に形成された、該層の残部より高いn型キャリア濃度を有する2個の別々のウェル領域と、前記n型エピタキシャル層内の前記ウェル領域上にそれぞれ形成され、前記ウェル領域の一方をソース、他方をドレインとして作用させるオーム接点と、前記n型エピタキシャル層の、前記オーム接点間部分及び従って前記ソース及びドレイン間部分上に形成され、バイアスが供給されたとき前記ソース及びドレイン間の前記エピタキシャル層内に活性チャネルを形成するショットキ金属接点とを具えたことを特徴とする高電力、高周波金属-半導体電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
