特許

J-GLOBAL ID：200903012157379880

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石田 哲夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-273848
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114578
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 WF6 ガスによる半導体基板の侵食を阻止することによって配線歩留まりを向上させる。【構成】 半導体基板1にはn+ 拡散層3に対する電気的接続を図るため層間絶縁膜2にコンタクトホールが形成されている。コンタクトホールの壁面及び底面に沿って、第1のTi膜4及び第1のTiN膜5よりなる第1の密着層が形成されている。該第1の密着層の内面に沿ってSi膜7よりなる第2の密着層が形成されている。該第2の密着層の内側にはWプラグ8が埋め込まれており、Wプラグ8の上には、第2のTi膜9、第2のTiN膜10及びAi-Si-Cu膜11からなる配線パターンが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたコンタクトホールの内部に、該コンタクトホールの壁面及び底面との間に密着層を介在せしめてWプラグが埋め込まれてなる半導体装置であって、前記密着層は、コンタクトホール壁面及び底面側の第1の密着層と、該第1の密着層の内面に沿って形成されたSi膜よりなるWプラグ側の第2の密着層とから構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90