特許

J-GLOBAL ID：200903012159054725

層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置

発明者： 武石 俊作 ,  工藤 寛 ,  篠原 理華
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-001201
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191008
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置に関し、低比誘電率で、耐熱性に優れ、且つ、薄層化が可能なフッ素系樹脂膜からなる層間絶縁膜を提供する。【解決手段】 C/F比が1/2のフロロカーボンガスに含水素化合物ガスを混入した状態でプラズマ化学気相堆積法を行うことによってフッ素系樹脂膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

C/F比が1/2のフロロカーボンガスに含水素化合物ガスを混入した状態でプラズマ化学気相堆積法を行うことによってフッ素系樹脂膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/95 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P