特許
J-GLOBAL ID：200903012163979652
集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300870
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135692
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】ペルチェ素子をパッケージに内蔵して、半導体チップから発生するジュール熱を効率よく放熱できるようにペルチェ素子が配置された集積回路を提供する。【解決手段】半導体基板11上にMOSトランジスタ12a、12bや配線金属16aが形成され、それらが絶縁膜14a、14bにより被覆され、その絶縁膜14a、14bの上層もしくは、半導体基板11の下面のエッチングされた部分にペルチェ素子15が配置され、樹脂またはセラミックによりパッケージングされた集積回路。
請求項（抜粋）：
絶縁体で形成されたパッケージを有する集積回路であって、前記集積回路は上部を絶縁体により被覆され、前記絶縁体上にペルチェ素子が設けられている集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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