半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221886
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064025
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】成膜初期の膜質が粗となり、層間絶縁膜としては不適当である。【解決手段】チャンバー内の基板の温度が設定温度になる迄原料ガス(TEOS)の流量を徐々に増加させながら成膜する。

請求項（抜粋）：

有機系原料ガスを用いるプラズマCVD法によりチャンバー内の半導体基板上に酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記チャンバー内の前記基板の温度が設定温度になる迄前記原料ガスの流量を徐々に増加させながら成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/50 , H01L 21/316 X

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