特許

J-GLOBAL ID：200903012167714254

パワー半導体モジュール

発明者： 堀口 剛司 ,  大井 健史 ,  武藤 浩隆 ,  菊永 敏之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331003
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148458
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 パワー半導体モジュールの制御基板とパワー半導体素子とを接続する接合部と、主回路を流れる電流との電磁結合を低減し、安定に動作するパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 絶縁基板3上にパワー半導体素子5を含む部材が配置され、絶縁基板3の上方に上記部材の制御回路を実装した制御基板1が配置され、上記部材の信号端子と、上記部材の制御回路とが少なくとも一対の信号線によって接続されるパワー半導体モジュールにおいて、絶縁基板3上に設けられた中継基板13と上記制御基板1との間に設けられた一対の中継端子2が一対の信号線の一部を構成するとともに、上記一対の中継端子2は、ある平面に投影したとき、少なくとも一箇所で交差し、上記交差点で互いの距離が近接するように構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にパワー半導体素子を含む部材が配置され、上記部材の信号端子と、上記部材の制御回路とが少なくとも一対の信号線によって接続されるパワー半導体モジュールにおいて、上記一対の信号線は、ある平面に投影したとき、少なくとも一箇所で交差し、上記交差点で互いの距離が近接するようにしたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A ,  H01L 25/04 C

Fターム (4件)：

5F044AA02 ,  5F044AA10 ,  5F044AA19 ,  5F044AA20