特許

J-GLOBAL ID：200903012171153917

シリコンの精製方法

発明者： 花澤 和浩 ,  阿部 正道 ,  馬場 裕幸 ,  中村 尚道 ,  湯下 憲吉 ,  加藤 嘉英
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009672
公開番号（公開出願番号）：特開平11-209195
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は、複数個の黒鉛坩堝を用いたシリコンの電子ビームによる連続溶解でも、シリコンの蒸発量を抑制し、且つP、Al、Ca濃度の経時的変動の少ないシリコンの精製方法を提供することを目的としている。【解決手段】減圧室内に配置した容器に原料シリコンを供給し、電子ビームの照射で溶解して、その溶融したシリコンを、前記容器より下位に配置した鋳型に注湯して電子ビームを照射しながら該溶融シリコンを一方向凝固するシリコンの精製方法である。その際、前記容器を複数個の黒鉛坩堝とし、それらを溶湯が順次オーバーフローで移行するように配置すると共に、減圧室の炉内圧を5×10-5〜1×10-2Torr,溶解に用いる電子ビームの照射密度を0.02〜0.2kW/cm2 及び該複数個の容器内での溶融シリコンの滞留時間を0.5時間以上として前記原料シリコンを連続的に溶解する。

請求項（抜粋）：

減圧室内に配置した容器に原料シリコンを供給し、電子ビームの照射で溶解して、該原料シリコン中の揮発性不純物元素を蒸発除去し、引き続き、その溶融したシリコンを、前記容器より下位に配置した鋳型に注湯し、電子ビームを照射しながら該溶融シリコンを一方向凝固し、それが含有する金属不純物元素を除去するシリコンの精製方法において、前記容器を複数個の黒鉛坩堝とし、それらを溶湯が順次オーバーフローで移行するように配置すると共に、減圧室の炉内圧を5×10-5 〜 1×10-2 Torr,溶解に用いる電子ビームの照射密度を0.02〜0.2kW/cm2 及び該複数個の容器内での溶融シリコンの滞留時間を0.5時間以上として前記原料シリコンを連続的に溶解することを特徴とするシリコンの精製方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C01B 33/037 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C30B 29/06 502 A ,  C01B 33/037 ,  H01L 31/04 Z