特許
J-GLOBAL ID：200903012172485743
微細構造のための金属化を容易にする犠牲層の使用
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080062
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334926
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 犠牲層を用いた銅配線の製造方法を提供すること。【解決手段】 誘電体層(102)の上に、SiC層(106)を形成する。SiC層(106)の上に、犠牲層(108)を形成する。犠牲層(108)、SiC層(106)および誘電体層(102)中に、エッチングによって溝(112)を形成する。犠牲層(108)をスパッタエッチングすることにより、誘電体層(102)の上部よりも広い開口部を、犠牲層(108)の上部に形成する。障壁層(114)と銅種層(116)を形成する。溝(112)を銅(124)で充填する。CMPを用いて、余分な銅(124)と障壁層(114)を除去し、SiC(106)に定着させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層の上に研磨阻止層を形成するステップと、前記研磨阻止層の上に犠牲層を形成するステップと、前記犠牲層と前記研磨阻止層と前記誘電体層の中に穴を形成するステップと、前記犠牲層の上部角部を削ぎ落とすために前記犠牲層のスパッタエッチングを行うステップと、前記犠牲層の上と前記穴の中に障壁層を形成するステップと、前記障壁層の上に銅種層を堆積させるステップと、前記穴を充填するために銅を堆積させるステップとを含むことを特徴とする集積化回路の製造方法。
Fターム (40件)：
5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033HH21
, 5F033HH27
, 5F033HH30
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ20
, 5F033JJ27
, 5F033JJ30
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033JJ34
, 5F033KK01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP14
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ14
, 5F033QQ48
, 5F033QQ49
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR09
, 5F033RR11
, 5F033XX01
, 5F033XX02
, 5F033XX09
