特許
J-GLOBAL ID：200903012174742662
バンプ及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208943
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078419
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、バンプ及びそれを用いた半導体装置の製造方法に係り、半導体装置の製造を簡易にするバンプ、及び製造方法によって半導体装置の製造工程を簡易にして、それに伴う製造コストを低減することを目的とする。【構成】 半導体装置の製造工程において、バンプ本体19をPb・Sn半田によって構成する。続いてバンプ本体19に、半導体装置本体の電極と接合する部分にAu膜14とCu膜15よりなる反応防止膜20を設けてバンプ90を構成する。バンプ90が反応防止膜20を有するので、と接合する半導体装置本体に反応防止膜を設けること無く半導体装置本体11の電極12にバンプを接合できる構成となる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極に接合されるバンプにおいて、バンプ本体と、該バンプ本体のうち該半導体装置の該電極と接合される部分に設けた、該バンプ本体が該半導体装置の該電極と反応することを防止する反応防止膜とよりなる構成としたとを特徴とするバンプ。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 F
, H01L 21/92 603 B
, H01L 21/92 603 D
