半導体ウエハのエッチング法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254828
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077083
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】大量のエッチング液を使用せずに効率的に半導体ウエハをエッチングする。【解決手段】エッチング槽(1)内の底部にパイプ(4)を配置し、パイプ(4)に形成されたノズル(20)からエッチング液(2)内に空気を噴出してエアバブリングを行う。エアバブリングにより温度が上昇するエッチング液(2)の一部を冷却器(5)に導入し、冷却器(5)内の熱交換により冷却した後、エッチング槽(1)内に戻す。パイプ(4)のノズル(20)からエッチング液(2)内に空気を噴出すると、エアバブリングによって半導体ウエハ(3)の表面にエッチング液(2)が滞留せず、半導体ウエハ(3)に対するエッチングが促進され、エッチング液(2)の温度が上昇する。冷却器(5)によってエッチング液(2)を冷却するため、大量のエッチング液(2)を必要としない。

請求項（抜粋）：

エッチング槽内に収容されたエッチング液中に半導体ウエハを浸漬して前記半導体ウエハの表面をエッチングする方法において、前記エッチング槽内の底部に配置された空気噴出孔から前記エッチング液内に空気を噴出してエアバブリングを行い、前記エッチングにより温度が上昇する前記エッチング液の一部を冷却器に導入し、該冷却器内の熱交換により冷却した後、前記エッチング槽内に戻すことを特徴とするエッチング法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , C23F 1/08 101 , H01L 21/304 642

FI (3件)：

H01L 21/306 J , C23F 1/08 101 , H01L 21/304 642 A

Fターム (14件)：

4K057WA20 , 4K057WM03 , 4K057WM11 , 4K057WM14 , 4K057WM20 , 4K057WN01 , 5F043DD30 , 5F043EE04 , 5F043EE07 , 5F043EE22 , 5F043EE24 , 5F043EE27 , 5F043EE40 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-021335
特開昭58-021335

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