特許
J-GLOBAL ID：200903012182256998
光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
立石 篤司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002004435
公開番号（公開出願番号）：WO2002-091440
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2002年11月14日
要約：
物体面上に配置されたパターンを投影光学系の像面側に配置されたウエハ(WT)上に順次転写してマトリックス状の複数の区画領域(DAi,j)から成る第1領域(DCn)をウエハ上に形成するとともに、第1領域の周囲に過露光の第2領域(DDn)を形成する。そして、複数の区画領域(DAi,j)におけるパターンの像の形成状態を、コントラスト検出などの画像処理の手法により検出する。この場合、第1領域の外側に過露光の第2領域が存在するので、第1領域の最外周部の区画領域と第2領域の境界線をS/N比良く検出することができ、その境界線を基準として他の区画領域の位置をほぼ正確に算出できる。従って、パターン像の形成状態を短時間で検出することができる。
請求項（抜粋）：
第1面上のパターンを第2面上に投影する投影光学系の光学特性を計測する光学特性計測方法であって、
少なくとも1つの露光条件を変更しながら、前記第1面上に配置された計測用パターンを前記投影光学系の第2面側に配置された物体上に順次転写してマトリックス状に配置された複数の区画領域から成る全体として矩形の第1領域を前記物体上に形成する第1工程と;
前記第1領域の周囲の少なくとも一部の前記物体上の領域に過露光の第2領域を形成する第2工程と;
前記第1領域を構成する前記複数の区画領域の少なくとも一部の複数の区画領域における前記計測用パターンの像の形成状態を検出する第3工程と;
前記検出結果に基づいて前記投影光学系の光学特性を求める第4工程と;を含む光学特性計測方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 526
, G03F7/20 521
