特許
J-GLOBAL ID：200903012183395401
エピタキシャル結晶成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235020
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097147
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 1つの成長装置で複数の成長モードにて結晶成長を行うことができるエピタキシャル結晶成長装置を得る。【構成】 予備真空室14と成長室3との間に配置されるゲートバルブ17を開けることにより、上記予備真空室14と成長室3とが連通状態となって成長室3内のガスが吸い出され、成長室3内の圧力が急激に低下し、真空度の低い状態から高い状態へ速やかに移行する。
請求項（抜粋）：
基板を搭載し、これを加熱可能な基板加熱部と、上記基板加熱部を収納する成長室と、上記成長室に取り付けられ、上記基板加熱部に搭載された基板に向けて結晶成長材料を分子線状に照射する分子線源と、上記成長室に取り付けられ、上記基板加熱部に搭載された基板に向けて結晶成長材料をガス状に噴射するノズルと、上記成長室にゲートバルブを介して接続された排気配管と、上記成長室にゲートバルブを介して接続され、その内部が真空状態となっている真空室とを備えたことを特徴とするエピタキシャル結晶成長装置。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C30B 25/06
, H01L 21/20
, H01L 21/68
