特許
J-GLOBAL ID：200903012184092267
ウェーハ研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-075718
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274049
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】ウェーハ研磨装置において、ウェーハ15の表面状態や膜質および研磨条件にかかわらず研磨速度の面内均一性をより高めて研磨できることを図る。【構成】ウェーハ15を保持し研磨布に捺し付けるプレート1をウェーハ15の被研磨面の材質と研磨される度合が同程度の材質にし、プレート1のウェーハの押圧面2aを予じめウェーハの研磨条件と同じ条件で研磨し共ずり面に形成し押圧面2bにする。しかる後、共ずり面をもつ押圧面2bでウェーハ15を研磨布3に押し付けながら研磨する。
請求項（抜粋）：
半導体基板であるウェーハを保持し前記ウエーハを研磨布に押し付け摺擦運動させスラリーを滴下しながら該ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置において、前記ウェーハの被研磨面の研磨レートと同等の研磨レートをもつ材質で製作されているとともに前記ウェーハを研磨する前に該ウェーハの研磨条件と同じ条件で予じめ前記ウェーハを押し付ける押圧面を研磨し膨らむように湾曲する面に形成ししかる後研磨された該押圧面で前記ウェーハを保持し前記研磨布に押し付けるプレートを備えることを特徴とするウェーハ研磨装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
H01L 21/304 321 E
, B24B 37/04 Z
