特許
J-GLOBAL ID：200903012184682480
半導体装置及びそれらの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012362
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295988
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置中のMIS型半導体素子の閾値電圧を低くしながら、パンチスルー等の電気的特性の劣化を防止する。【構成】 半導体装置において、素子分離2で囲まれる第1活性領域ReAに形成される低閾値電圧半導体素子のチャネル3の活性化不純物の濃度を、通常の閾値に対応した不純物の濃度よりも低濃度とする。また、第1活性領域ReAにリング状のゲート電極を16を形成する。低濃度チャネルの形成とリング状のゲート電極16による長いチャネル幅とにより、通常の閾値よりも極めて低い閾値を有する半導体素子が得られる。したがって、低閾値電圧半導体素子において、チャネル長さを短くする場合のようにパンチスルーの発生やOFFリーク電流の増大等を生じることなく、閾値電圧が低くなる。特に、通常閾値電圧半導体素子と、低閾値電圧半導体素子とを一つの半導体装置に搭載する際に、効果が大きい。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、複数のMIS型半導体素子を配設した半導体装置において、上記複数のMIS型半導体素子のうち少なくとも一つの半導体素子は、半導体基板の表面付近に形成された活性領域と、該活性領域を他の領域から区画するための素子分離と、上記活性領域の上に形成されたリング状のゲート電極と、上記ゲート電極下方の活性領域の少なくとも1部に形成され、活性化不純物の濃度が通常の閾値電圧に対応する濃度よりも低い低濃度チャネルとを有し、低閾値電圧半導体素子として構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/088
, H01L 29/784
H01L 27/08 102 B
, H01L 29/78 301 C
