特許
J-GLOBAL ID:200903012184836576
ITO薄膜及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
町野 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-282128
公開番号(公開出願番号):特開2000-109321
出願日: 1998年10月05日
公開日(公表日): 2000年04月18日
要約:
【要約】【課題】 導電性に優れたITO薄膜を提供すること。【解決手段】 薄膜のX線回折の(400)ピークからシェラー法により求められる結晶子サイズが500Å以上であるITO薄膜。
請求項(抜粋):
薄膜のX線回折の(400)ピークからシェラー法により求められる結晶子サイズが500Å以上であるITO薄膜。
IPC (4件):
C01G 19/00
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, C30B 29/22
FI (4件):
C01G 19/00 A
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 A
, C30B 29/22
Fターム (16件):
4G077AA03
, 4G077AA08
, 4G077AB08
, 4G077AB09
, 4G077BC60
, 4G077DA14
, 4G077EA02
, 4G077SB03
, 4K029AA11
, 4K029BA47
, 4K029BA50
, 4K029BB08
, 4K029BC03
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DB05
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