特許
J-GLOBAL ID:200903012184836576

ITO薄膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 町野 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-282128
公開番号(公開出願番号):特開2000-109321
出願日: 1998年10月05日
公開日(公表日): 2000年04月18日
要約:
【要約】【課題】 導電性に優れたITO薄膜を提供すること。【解決手段】 薄膜のX線回折の(400)ピークからシェラー法により求められる結晶子サイズが500Å以上であるITO薄膜。
請求項(抜粋):
薄膜のX線回折の(400)ピークからシェラー法により求められる結晶子サイズが500Å以上であるITO薄膜。
IPC (4件):
C01G 19/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/22
FI (4件):
C01G 19/00 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  C30B 29/22
Fターム (16件):
4G077AA03 ,  4G077AA08 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077BC60 ,  4G077DA14 ,  4G077EA02 ,  4G077SB03 ,  4K029AA11 ,  4K029BA47 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05

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