特許

J-GLOBAL ID：200903012194297410

ドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾 ,  佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215221
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308063
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを用いずに、GaAs/AlGaAs積層系の高異方性,高選択性エッチングを行う。【構成】 HEMTのゲート・リセス加工において、n+ -AlGaAs層4上のn+ -GaAs層5の選択エッチングを、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のS(イオウ)とF* とを放出できる組成のエッチング・ガスを用いて行う。Sは側壁保護膜7を形成して異方性の達成に寄与し、F* は下地のn+ -AlGaAs層4の露出面上で不揮発性のAlFx を形成して選択性の達成に寄与する。最も基本的なガス組成は、S2 F2 /Xe系である。蒸気圧の高い反応生成物を得るためにCl* やBr* を生成できる組成としても良く、S2 F2 /Cl2 系,S2 F2 /S2 Cl2 系等が使用できる。エッチング後にウェハを加熱すればSは昇華除去できる。

請求項（抜粋）：

Alを含む化合物半導体層の上に積層されたAlを含まない化合物半導体層を選択的にエッチングするドライエッチング方法において、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを放出し得る堆積性フッ素系化合物を含むエッチング・ガスを用いてエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F