半導体パッケージ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-428225
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191135
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】放熱効率の高い半導体パッケージを得る。【解決手段】セラミック基板の主面上に設けた一対の上面電極のランド上にLED素子などの半導体素子を搭載した半導体パッケージにおいて、セラミック基板11の下面に設けた一対の下面電極12c、13cに、光拡散反射手段を設けた絶縁体21を挟んで左右に設けた一対の導電体22、23からなる基板20を接合し、更に、内面に導電金属膜14を設けたビア11c、11eをセラミック基板11に設けると共に、ビア11c、11eの導電金属膜14を上面電極12a、13a、下面電極12c、13c、並びに導電体22、23に連結して、ビアを介する放熱バイパス経路を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

セラミック基板の主面上に設けた一対の上面電極のランド上に半導体素子を搭載した半導体パッケージにおいて、前記セラミック基板の主面の反対側にあたる下面に、光拡散反射手段を設けた絶縁体と、該絶縁体を挟んで左右に設けた一対の導電体と、を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041AA33 , 5F041DA02 , 5F041DA12 , 5F041DA19 , 5F041DA34 , 5F041DA35 , 5F041DA36 , 5F041DA39 , 5F041DB09

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