半導体デバイスにおける抵抗調整方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041902
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218307
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】半導体デバイスに形成された抵抗の値を,好適にはデバイス製造の最終段階で,調整する。【構成】 pn接合分離されたn- 形シリコン・アイソレーション層内に不純物を拡散して拡散抵抗層7を形成した後,半導体デバイスの最終段階で,保護絶縁膜などの上部から,不純物拡散抵抗層の幅wと同等のレーザービーム径BSのレーザービーム21を選択的に照射するレーザーアニール法により拡散抵抗層7の部分を選択的に加熱してその抵抗の値を低下させる。半導体デバイスの最終段階で容易に抵抗値を調整することができ,特に,バイポーラトランジスタで差動増幅回路を構成した場合にその負荷抵抗として抵抗ペア比の正確な1対の抵抗を調整する場合などに好適である。

請求項（抜粋）：