特許

J-GLOBAL ID：200903012205454709

厚膜電極ペースト

発明者： 次本 伸一
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118427
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、鉛非含有であっても電極密着強度が高く、電気特性の良い厚膜電極ペーストを提供することにある。【解決手段】本発明の厚膜電極ペーストは、セラミック電子部品の電極形成に供される鉛フリー厚膜電極ペーストであって、Agからなる導電粉末と、ガラス粉末と、ビヒクルとを含有し、前記ガラス粉末は、酸化カルシウム,酸化ストロンチウム,酸化バリウムから選ばれるアルカリ土類酸化物を1種以上と、酸化ビスマスと、酸化硼素とを含有し、それぞれをMO(MOはCaO,SrO,BaOの合計)、Bi2O3,B2O3と表したとき、ガラス組成100モル%に対して、10≦MO≦30モル%、10≦Bi2O3≦50モル%、20≦B2O3≦60モル%の範囲にあることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

セラミック電子部品の電極形成に供される鉛フリー厚膜電極ペーストであって、Agからなる導電粉末と、ガラス粉末と、ビヒクルとを含有し、前記ガラス粉末は、酸化カルシウム,酸化ストロンチウム,酸化バリウムから選ばれるアルカリ土類酸化物を1種以上と、酸化ビスマスと、酸化硼素とを含有し、それぞれをMO(MOはCaO,SrO,BaOの合計)、Bi2O3,B2O3と表したとき、ガラス組成100モル%に対して、10≦MO≦30モル%10≦Bi2O3≦50モル%20≦B2O3≦60モル%の範囲にあることを特徴とする厚膜電極ペースト。

IPC (3件)：

H01B 1/22 ,  H01G 4/015 ,  H01G 4/18

FI (2件)：

H01B 1/22 A ,  H01G 4/24 321 B

Fターム (18件)：

5E082AB01 ,  5E082BC32 ,  5E082EE04 ,  5E082EE22 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE27 ,  5E082EE35 ,  5E082FG08 ,  5E082FG26 ,  5E082PP03 ,  5G301DA03 ,  5G301DA06 ,  5G301DA34 ,  5G301DA37 ,  5G301DA38 ,  5G301DA40 ,  5G301DD01