特許
J-GLOBAL ID:200903012209322394
セラミックの薄層を溶着させる熱溶着法および関連装置
発明者:
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
社本 一夫 (外5名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-528058
公開番号(公開出願番号):特表平11-505292
出願日: 1996年03月15日
公開日(公表日): 1999年05月18日
要約:
【要約】本発明は、プラズマ中で溶融したスプレー粉末によって、ベースにプラズマ溶射層を被覆する方法において、プラズマ溶射装置のチャンネル内のニュートロン領域、アノード領域またはこれらの中間に、粉末供給ダクトを経てスプレー粉末を導入し、少なくとも1つのアークが時間内の少なくとも一部分の間は少なくとも20mmの長さを有し、かつベースが所謂連続ストリップまたは少なくとも0.005m2の大面積のフォーマットである方法に関する。また本発明は複数のプラズマ溶射装置および少なくとも1つの防音ブースを含むベースを被覆する設備において、各プラズマ溶射装置は、長さが少なくとも20mmのアークを生じ、かつスプレー粉末を加熱するために少なくとも1個のニュートロードおよび少なくとも1個のアノードを有し、スプレー粉末はアノード領域または/およびニュートロード領域または/およびこれらの中間に導入され、かつ設備はベースを微細荒削りする装置を含み、これが機械的、物理的または吹付微細荒削りする装置である設備に関する。
請求項(抜粋):
プラズマ溶射層を、該プラズマ中で溶融したスプレー粉末によってベースに被覆する方法において、粉末供給ダクトを経て、プラズマ溶射装置のチャンネル内のニュートロード領域、アノード領域またはこれらの中間に該スプレー粉末を導入し、少なくとも1個のアークが該時間内の少なくとも一部分の間少なくとも20mmの長さを有し、かつ該ベースが所謂連続ストリップまたは少なくとも0.005m2の大面積のフォーマットであることを含む方法。
IPC (8件):
C23C 4/12
, B05B 7/22
, B22D 23/00
, B41N 3/03
, C23C 4/00
, C23C 4/02
, C23C 4/10
, H05H 1/42
FI (8件):
C23C 4/12
, B05B 7/22
, B22D 23/00 E
, B41N 3/03
, C23C 4/00
, C23C 4/02
, C23C 4/10
, H05H 1/42
前のページに戻る