特許

J-GLOBAL ID：200903012210239140

半導体ナノ粒子蛍光試薬及び蛍光測定方法

発明者： 佐藤 恵一 ,  桑畑 進
出願人/特許権者： 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088987
公開番号（公開出願番号）：特開2003-287498
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体ナノ粒子の製造に関して、バンドギャップ蛍光を特異的に持つ半導体ナノ粒子を調製するためには、多くの過程が必要であり、技術および安全性の観点から、工業的に製造することは非常に困難であった。【解決手段】 半導体ナノ粒子内部のエネルギーレベルの禁制帯内に存在するエネルギーレベルを持つ主に表面サイトの欠陥準位から現れる欠陥蛍光を測定する。

請求項（抜粋）：

半導体ナノ粒子の主に表面サイトに欠陥準位が存在することにより現れる欠陥蛍光を測定することを特徴とする蛍光試薬。

IPC (6件)：

G01N 21/64 ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  G01N 33/53 ,  G01N 33/533 ,  G01N 33/566

FI (8件)：

G01N 21/64 Z ,  G01N 21/64 F ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  G01N 33/53 D ,  G01N 33/53 M ,  G01N 33/533 ,  G01N 33/566

Fターム (17件)：

2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043DA01 ,  2G043DA02 ,  2G043EA01 ,  2G043FA06 ,  2G043GA25 ,  2G043GB02 ,  2G043GB16 ,  2G043GB28 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043KA05 ,  4G047BA01 ,  4G047BB05 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04