特許
J-GLOBAL ID:200903012210875518

電磁弁駆動装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-032718
公開番号(公開出願番号):特開2002-237411
出願日: 2001年02月08日
公開日(公表日): 2002年08月23日
要約:
【要約】【課題】 電磁弁の駆動応答性と低消費電力化及びスイッチング素子の小型化とを、高い次元で実現可能な電磁弁駆動装置を提供する。【解決手段】 電磁弁駆動装置は、電磁弁コイルへの通電期間の開始タイミングで通電用のMOSFETをオンさせて、コイルの通電電流Iが第1の制御電流値Ipを越えてから該MOSFETをオフさせ、その後、通電期間の開始時から所定時間Tpが経過する時までは、通電電流Iが上記Ipにまで減少したと判定する毎にMOSFETを第1のオン時間T1だけオンさせることにより、該通電電流Iを上記Ip付近に制御し、上記所定時間Tpが経過してから当該通電期間が終了するまでは、通電電流Iが上記Ipよりも小さい第2の制御電流値Ihにまで減少したと判定する毎にMOSFETを上記T1よりも短い第2のオン時間T2だけオンさせることにより、該通電電流Iを上記Ih付近に制御する。
請求項(抜粋):
電磁弁のコイルへ電流を流すための電流経路に設けられ、オンされることにより前記コイルに電流を流して前記電磁弁を駆動させるスイッチング素子と、前記コイルへの通電期間を設定する通電期間設定手段と、該通電期間設定手段により設定された通電期間の間、前記コイルに流れる通電電流が所定の制御電流値となるように前記スイッチング素子をオンさせる通電制御手段とを備え、前記通電制御手段は、前記通電期間設定手段により設定された通電期間の開始タイミングで前記スイッチング素子をオンさせて、前記コイルに流れる通電電流が第1の制御電流値を越えてから前記スイッチング素子をオフさせ、その後、前記通電期間の開始時から所定時間が経過する時までは、前記コイルに流れる通電電流が前記第1の制御電流値にまで減少したと判定する毎に、前記スイッチング素子を第1のオン時間だけオンさせることにより、前記通電電流を前記第1の制御電流値付近に制御し、前記所定時間が経過してから当該通電期間が終了するまでは、前記通電電流が前記第1の制御電流値よりも小さい第2の制御電流値にまで減少したと判定する毎に、前記スイッチング素子を前記第1のオン時間よりも短い第2のオン時間だけオンさせることにより、前記通電電流を前記第2の制御電流値付近に制御するように構成されていること、を特徴とする電磁弁駆動装置。
IPC (6件):
H01F 7/18 ,  F02D 41/20 330 ,  F02D 41/20 345 ,  F02M 59/34 ,  F16K 31/06 320 ,  F02M 51/06
FI (6件):
H01F 7/18 H ,  F02D 41/20 330 ,  F02D 41/20 345 ,  F02M 59/34 ,  F16K 31/06 320 A ,  F02M 51/06 M
Fターム (20件):
3G066CC05U ,  3G066CD26 ,  3G066CE22 ,  3G066CE29 ,  3G066DA06 ,  3G066DC05 ,  3G066DC09 ,  3G301LB01 ,  3G301LB07 ,  3G301LC01 ,  3G301LC10 ,  3G301ND41 ,  3G301PG02Z ,  3H106DA07 ,  3H106DC02 ,  3H106EE04 ,  3H106EE22 ,  3H106EE34 ,  3H106FB04 ,  3H106KK18
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平2-312207
  • 特開昭61-187304
  • 特表昭62-502012
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