特許

J-GLOBAL ID：200903012217520278

集積回路内の金属コンタクトを形成する方法

発明者： リビオ バルディ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクスソチエタ レスポンサビリタ リミテ
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311734
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259164
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、1つ以上の金属堆積層を有する集積回路内に安定性の高い金属コンタクトを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 1つ以上の金属堆積層を有する集積回路内に安定性の高い金属コンタクトを形成する方法であって、誘電体の層5内に、両端が該誘電体層5とほぼ平坦に且つ該回路の中間領域にそれぞれ開口している複数のコンタクトホール7を形成する予備工程を含む方法において、(a)化学的気相成長法により該誘電体層上にタングステンの第1層9を形成して該コンタクトホール7の底部と壁部とを均一に被覆する工程、(b)スパッタリングにより該タングステンの第1層9上にアルミニウムまたはその合金の第2層11を形成して該コンタクトホール7を充填する工程、および(c)該アルミニウム層11と該タングステン層9との積層体の所定領域を選択的に除去することにより所定形状を有する複数の金属配線13を形成する工程を含むように構成する。

請求項（抜粋）：

1つ以上の金属堆積層を有する集積回路内に安定性の高い金属コンタクトを形成する方法であって、誘電体の層(5)内に、両端が該誘電体層(5)とほぼ平坦に且つ該回路の中間領域にそれぞれ開口している複数のコンタクトホール(7)を形成する予備工程を含む方法において、(a)化学的気相成長法により該誘電体層(5)上にタングステンの第1層(9)を形成して該コンタクトホール(7)の底部と壁部とを均一に被覆する工程、(b)スパッタリングにより該タングステンの第1層(9)上にアルミニウムまたはその合金の第2層(11)を形成して該コンタクトホール(7)を充填する工程、および(c)該アルミニウム層と該タングステン層との積層体(9,11)の所定領域を選択的に除去することにより所定形状を有する複数の金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする集積回路内の金属コンタクトを形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N