特許

J-GLOBAL ID：200903012220743814

位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法

発明者： 悳 昭彦 ,  小林 良一 ,  吉岡 信行 ,  宮崎 順二 ,  渡壁 弥一郎
出願人/特許権者： アルバック成膜株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285327
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140635
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 位相シフトマスクの製造時のプロセスの低減を図り、高品質の位相シフトマスクおよびその製造方法を提供し、かつ、その位相シフトマスクを用いた露光方法を提供する。【構成】 位相シフトマスク200の第2の光透過部4が、位相差が180°となり透過率が5〜40%を有するモリブデンシリサイド酸化窒化物またはモリブデンシリサイド酸化物4から構成されている。また、この第2の光透過部4の製造工程においては、スパッタリング法を用いて、モリブデンシリサイド酸化窒化膜またはモリブデンシリサイド酸化膜を形成している。これにより、従来のスパッタリング装置を用いて、第2の光透過部を形成し、また、位相シフタ部のエッチング工程も1回となるために、製造工程における欠陥および誤差も生じる確率を低下させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

露光光を透過する基板と、この基板の主表面上に形成された位相シフトパターンと、を備え、前記位相シフトパターンは、前記基板が露出する第1の光透過部と、透過する露光光の位相と透過率とが、前記第1の光透過部を透過する露光光の位相に対して180°変換し、かつ、透過率が5〜40%であり、単一の材料からなる第2の光透過部と、を有する位相シフトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 露光用マスク、露光用マスクの製造方法及びこの露光用マスクを用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-327623   出願人：株式会社東芝