特許
J-GLOBAL ID：200903012227620092
磁気メモリ・セル
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230773
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076842
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】磁気メモリ・セルに対する読み取り操作中に得られる信号を増強する。【解決手段】 磁気メモリ・セル40は、データ記憶層50、基準層54およびトンネル・バリヤ52を備えている。磁気メモリ・セル40の論理状態は、磁化容易軸に沿った磁化とデータ記憶層50のエッジ・ドメインにおける磁化とによる寄与が含まれ、データ記憶層50において結果として生じる配向を示すベクトルM1と、データ記憶層50の磁化容易軸に対して軸を外した特定の方向に固定され、基準層54における磁化配向を示すベクトルM2との相対的配向に応じて異なる抵抗を測定することによって判定される。基準層54の軸を外した配向の角度は、磁気メモリ・セル40に対する読み取り操作中に得られる信号を強めるように選択されている。
請求項（抜粋）：
磁化容易軸を備えたデータ記憶層(50)と、磁化配向が前記磁化容易軸に対して軸を外した方向にピン止めされた基準層(54)とを備えていることを特徴とする磁気メモリ・セル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
