特許
J-GLOBAL ID：200903012229366649
エッチング方法および装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296039
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151360
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】アスペクト比依存性のない垂直加工形状を与える高精度・高選択性のエッチング方法および装置を提供することである。【構成】プラズマエッチング装置において、エッチング用のプラズマを連続発生させた状態で、試料に印加する高周波電力またはプラズマ中に印加する磁界強度を1秒以下の周期でもって周期的に断続変化させることによって、試料表面にエッチャントを吸着させる段階と、このエッチャントが吸着された試料表面にエッチングイオンを照射してエッチングを進行させる段階とを交互に繰り返させながら、所定のエッチングを行なわせる。【効果】エッチャントの吸着時間とエッチングイオンの照射時間とをほぼ独立に制御できるので、アスペクト比依存性のない垂直断面形状の高選択比エッチングが低損傷で可能となる。
請求項（抜粋）：
反応性ガスを含むガスの放電プラズマを用いて試料表面をエッチング加工するエッチング方法において、上記試料表面のエッチング加工中に、上記放電プラズマを連続発生させた状態で、上記試料の表面に形成されるイオンシースの平均厚さとエッチングイオンの平均エネルギーとをそれぞれ異なる二値の間で周期的に変化させることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
