特許

J-GLOBAL ID：200903012235887308

銅表面のカプセル化法

発明者： ジオン - ピン ルー ,  ウェイ ウィリアム リー ,  キィ - ツォン ホン ,  ウェイ - ユン スー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330557
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189604
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 選択的化学的な低温2段階法による革新的な銅カプセル化法を提供する。【解決手段】 低温2段階法で形成した窒化ケイ素超薄膜による銅カプセル化革新的方法。この方法では銅の堆積、パターン化又は化学的機械的研磨(CMP)のあとの構造体は銅露出表面と誘電体表面を含む。この構造体を次いで300°C以下の温度でシラン(又はその他のSi源)中で焼鈍する。この工程ではSi(及び界面での銅とケイ素との反応で生成するケイ化銅)の薄膜が銅表面上に優先的に堆積する。次いで、この表面層をNH3 プラズマ(又はその他の活性N雰囲気、例えばN2 プラズマ)を用いて窒化してSiNx 層を形成する。

請求項（抜粋）：

(a) 部分的に形成した集積回路構造体であって、その表面上にパターン化済み金属層の露出部がある構造体を準備する工程、(b) この構造体を焼結してこの金属層上にパッシベーション性窒化物前駆物質元素の薄層を堆積させる工程、及び(c) 活性窒素源を用いてこの構造体を窒化する工程を含み、これにより金属層の酸化を最小限にし、金属の周囲層への拡散を防止する製法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/318 ,  H01L 23/50 ,  C23C 8/24

FI (5件)：

H01L 21/88 M ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/318 A ,  H01L 23/50 D ,  C23C 8/24