特許
J-GLOBAL ID：200903012243635857
絶縁膜の観察方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210991
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078854
出願日： 1983年02月25日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【構成】電子ビームを収束する収束手段13と、欠陥を検査すべき絶縁膜を有する試料32上に前記電子ビームを走査する偏向手段15と、電子が前記絶縁膜を等価的に透過する入射速度と等価的に透過しない入射速度の電子ビームを照射して前記絶縁膜から発生する二次電子を検出する検出器22を有する構成。【効果】絶縁膜の欠陥の大きさ、数等を検知することができ、また、検査すべき絶縁膜を電子が等価的に透過しない電子ビームを用いて非接触で検査を行なうので、脆弱な半導体試料に対しても無損傷で、かつ、製造プロセスの途中で検査を行なうことができ、検査終了後後続の製造プロセスを継続することができる。また、電子ビームの微小なスポット径に対応する0.1μm程度の微細な欠陥箇所をも検知することができる。
請求項（抜粋）：
電子ビームを収束し、検査すべき絶縁膜を有する試料上に前記電子ビームを走査し、前記電子ビームを照射して前記絶縁膜の欠陥を検査する絶縁膜の観察方法において、電子が前記絶縁膜を等価的に透過する入射速度の前記電子ビームを照射して前記絶縁膜から発生する二次電子を検出することによりパターンの形状を検査し、電子が前記絶縁膜を等価的に透過しない入射速度の前記電子ビームを照射して前記絶縁膜から発生する二次電子を検出し、かつ、前記パターンの形状と比較することにより前記絶縁膜の欠陥を検査することを特徴とする絶縁膜の観察方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01R 31/26
, H01J 37/26
