特許
J-GLOBAL ID：200903012250289271
リソグラフィ用マスクおよびその製造方法ならびにそのマスクを用いた半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120731
公開番号（公開出願番号）：特開平9-304913
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ用マスクのパターン形状補正を高速に行う。【解決手段】 フォトリソグラフィ用マスクの電子線描画装置による製造に必要な電子線描画データを、設計データ101に基づいて作成する際に、設計データ101を、OR演算102により枠取りデータ103に変換し、枠取りデータ103を幅分類104により図形演算を用いて分類した幅分類データ106-1〜106-Nと、さらに枠取りデータ103を距離分類109により図形演算を用いて分類したワーク111と、に対しAND演算112を実行し、この実行結果に対して寸法補正演算113を施して、特定の幅条件および距離条件に対応した補正を設計データ101に加える。補正結果の出力114-1〜114-mにOR演算115を施して補正された設計データ116とし、これに基づいて電子線描画データを作成する。
請求項（抜粋）：
図形要素の組合せによりマスクパターンが構成されるリソグラフィ用マスクの製造方法であって、(a)LSIの機能および回路の設計データに基づいてレイアウト設計を行い、レイアウトパターンデータの集合である第1の設計データを生成する工程、(b)前記第1の設計データに含まれるレイアウトパターンの幅、および前記レイアウトパターンに隣接するレイアウトパターンとの距離、に固有の補正値を前記レイアウトパターンの形状に付加することによって前記レイアウトパターンデータを補正し、補正されたレイアウトパターンデータの集合である第2の設計データを生成する工程、(c)前記第2の設計データに基づいて描画データを生成し、マスク描画を行い、前記マスクパターンを形成する工程、を含むことを特徴とするリソグラフィ用マスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 541 J
