特許
J-GLOBAL ID：200903012254890930
SiC紫外線検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232877
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094773
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 300nm以下の短波長に対しても良好に応答し、リーク電流が少なくて感度が高いSiC紫外線検出器を提供する。【構成】 p型α-SiC基板(10)と、基板(10)上に形成されたp型SiCエピタキシャル層(11)と、p型SiCエピタキシャル層(11)上に形成されたn+ 型SiCエピタキシャル層(12)と、基板(10)にオーミック接触する電極(15)と、n+ 型SiCエピタキシャル層(12)にオーミック接触する電極(13)とを有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のα-SiC基板と、該基板上に形成された第1導電型のSiC層と、該SiC層上に形成された第2導電型の高濃度SiC層と、前記第1導電型の基板にオーミック接触する電極と、前記第2導電型の高濃度SiC層にオーミック接触する電極とを具備したことを特徴とするSiC紫外線検出器。
IPC (2件)：
引用特許：
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