特許
J-GLOBAL ID：200903012256397955
不揮発性メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295056
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028788
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は不揮発性メモリセルの経時変化を監視して保持しているデータビットの信頼性を高めることである。【構成】 第1メモリセルアレイ1はデータビットを保持し、第2メモリセルアレイ2は経時変化監視用データビットを書き込まれる。経時変化監視用データビットはデータビットと異なる条件で第2メモリセルアレイ2に書き込まれており、データビットより経時変化が促進される。経時変化監視用データビットに定期的にアクセスして、劣下が発見されると第1メモリセルアレイ1のデータビットは再書き込みされる。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込み消去可能なメモリセルで構成されデータビットの書き込まれる第1メモリセルと、電気的に書き込み消去可能なメモリセルで構成され経時変化監視用データビットの書き込まれる第2メモリセルとを有する不揮発性メモリ装置において、経時変化監視用データビットの書き込み条件及び読み出し条件の少なくとも一方をデータビットの書き込み条件と読み出し条件よりも経時変化を促進する条件にし、経時変化監視用データビットの経時変化に基づき第1メモリセル内のデータビットを再書き込みすることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 303
