特許
J-GLOBAL ID：200903012260795019
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010651
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203883
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】この発明は、酸化増速拡散が生じても十分な素子分離耐圧を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】P型シリコン基板1表面にP型ウェル2を形成し、P型シリコン基板1の表面にSiO2 膜3を形成し、このSiO2 膜3上にSi3 N4 膜4を堆積させる。次に、Si3 N4 膜4の上にフォトレジスト膜5を設け、このフォトレジスト膜5をマスクとしてSi3 N4 膜4をエッチングし、フォトレジスト膜5を除去する。次に、Si3 N4 膜4をマスクとしてP型シリコン基板1の表面を酸化することにより、P型ウェル2の表面に素子分離酸化膜6を形成する。次に、P型シリコン基板1に酸素を含まない雰囲気中で1000°C程度の温度により少なくとも1分間のアニールを施す。従って、酸化増速拡散が生じても十分な素子分離耐圧を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板における不純物領域の表面上に局所酸化法により素子分離酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板に、酸素を含まない雰囲気中で、低くとも1000°C程度の温度により少なくとも1分間のアニールをする工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/265
, H01L 21/762
H01L 21/94 A
, H01L 21/265 A
, H01L 21/76 D
