特許

J-GLOBAL ID：200903012266316635

半導体装置

発明者： 大和 誠
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002485
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208639
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】静電気破壊耐量の向上した半導体装置を提供する。【解決手段】電源端子1と入力端子3との間に保護ダイオード4が接続され、グランド端子2と入力端子3との間に保護ダイオード5が接続され、電源端子1とグランド端子2との間に寄生ツェナーダイオード6が接続され、内部回路内のMOSFETのゲートと、電源端子1およびグランド端子2のいずれかとの間に抵抗を接続する。

請求項（抜粋）：

外部接続部に保護素子を有するとともに、内部回路のMOSFETのゲートと、電源接続部およびグランド接続部のいずれかとの間に抵抗を接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/08 331

FI (3件)：

H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/08 331 F ,  H01L 27/04 H

Fターム (26件)：

5F038AR01 ,  5F038AR09 ,  5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH07 ,  5F038BH12 ,  5F038BH13 ,  5F038CD04 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048CC01 ,  5F048CC04 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC19