特許
J-GLOBAL ID:200903012267004882
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度膜
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-174345
公開番号(公開出願番号):特開2001-002990
出願日: 1999年06月21日
公開日(公表日): 2001年01月09日
要約:
【要約】【目的】 誘電率特性、機械強度等に優れた膜形成用組成物を得る。【構成】 (A)シラン化合物が下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)潜在性塩基触媒ならびに(C)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物。
請求項(抜粋):
(A)シラン化合物が下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)潜在性塩基触媒ならびに(C)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (7件):
C09D183/04
, C09D133/00
, C09D167/00
, C09D169/00
, C09D171/02
, H01L 21/312
, H01L 21/316
FI (7件):
C09D183/04
, C09D133/00
, C09D167/00
, C09D169/00
, C09D171/02
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 H
Fターム (26件):
4J038CG142
, 4J038DD002
, 4J038DE002
, 4J038DF022
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038JC32
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038NA26
, 4J038PA19
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AC06
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BC05
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
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