基板処理装置及び基板処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-278483
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088485
出願日： 2006年10月12日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】基板周囲の環境をより詳細に分析し、より精密なレジスト膜厚制御を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】レジストパターンを形成する際に影響を及ぼす、「気圧p」と、「カップCPの温度q」と、「ユニット内の湿度r」とをパラメータとする膜厚モデルの作成を予め実験的に行い、この作成した膜厚モデルに基づいて、レジスト膜形成条件の1つであるウェハの回転数を制御することにより、フィードフォワード制御が可能となる。これにより、露光装置における露光条件だけでは精密な制御を行うことができないレジストパターンの膜厚を予測することができる。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト膜を形成して該基板を露光装置に受け渡し、該露光装置から受け取った基板に第1の熱的処理を行った後現像処理を行うことにより、所望のレジストパターンを形成する基板処理装置において、前記レジストパターンを形成する際に関与する複数のパラメータに基づき作成された該レジストパターンの膜厚に関する第1の関数モデルとを記憶する記憶手段と、前記第1の関数モデルに基づきレジスト膜形成前にレジスト膜形成後の膜厚を予測し予測結果に応じてレジスト形成条件を制御する制御手段とを具備し、前記レジスト膜の形成は、基板を容器内で回転させることによりレジスト膜を形成するものであって、前記第1の関数モデルは、レジスト膜厚に関するものであり、少なくとも、レジスト膜形成時における気圧と、前記容器の温度と、前記容器内の湿度とをパラメータとしていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/16 , G03F 7/30

FI (4件)：

H01L21/30 564C , G03F7/16 502 , G03F7/30 501 , H01L21/30 562

Fターム (26件)：

2H025AA02 , 2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD05 , 2H025EA05 , 2H025EA10 , 2H025FA15 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096CA14 , 2H096EA05 , 2H096GA21 , 2H096LA30 , 5F046CD01 , 5F046CD05 , 5F046JA04 , 5F046JA13 , 5F046JA21 , 5F046JA22 , 5F046JA24 , 5F046JA27 , 5F046KA10 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

塗布膜形成方法および塗布処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-024981 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (4件)

特開平4-368117
基板への回転式塗布装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-120717 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
レジスト処理方法及びレジスト処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-140022 出願人：東京エレクトロン株式会社

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