特許
J-GLOBAL ID：200903012283189124
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313330
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154777
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】ゴム状態での体積変化量が小さな樹脂硬化物を用いることにより、温度サイクル時の信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂に一次平均粒径0.5μm 以下の超微粒子シリカ及び低弾性率成分を充填した樹脂硬化物を用いた半導体装置。
請求項（抜粋）：
ガラス状態での熱応力指数σ1とゴム状態での熱応力指数σ2の比σ2/σ1が0.100以上1.000以下である熱硬化性樹脂を用いた半導体装置。ここで熱応力指数=弾性率(kgf/cm2)×熱膨張係数(ppm/K)×10~4 と定義する。
IPC (6件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08K 7/16
, C08L101/00
, C09J 7/00
, C09J201/00
H01L 23/30 R
, C08K 7/16
, C08L101/00
, C09J 7/00
, C09J201/00
