特許

J-GLOBAL ID：200903012284527066

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 竹内 幸一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080056
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282698
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 既に形成した有機系の層間絶縁膜の開口部内壁が、他の有機系材料のエッチング時に変質したり削れる。【解決手段】 有機系の層間絶縁膜4,6を堆積する工程と、有機系の層間絶縁膜4,6に開口部を形成する工程と、開口部内で露出した有機系の層間絶縁膜4,6の壁面部をシリル化して改質する(シリル化による改質層4a,6aを形成する)工程とを含む。シリル化された開口部壁面の表面に、無機系絶縁材料からなる保護層4b,6bを形成すると、さらに望ましい。

請求項（抜粋）：

有機系の層間絶縁膜に開口部を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、有機系の層間絶縁膜を堆積する工程と、当該有機系の層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部内で露出した前記有機系の層間絶縁膜の壁面部をシリル化して改質する工程とを含む半導体装置の製造方法。

Fターム (40件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033SS30 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28