特許
J-GLOBAL ID：200903012287046859
反射防止膜材料用組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208630
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048833
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 各種放射線を用いるリソグラフィープロセスにおいて、下地基板からの反射による悪影響の低減に有効な反射防止膜材料用組成物、ならびに該反射防止膜材料用組成物を用いるレジストパターン形成法を提供する。【解決手段】 特定の構造の繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜材料用組成物。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)及び(2)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜材料用組成物。【化1】式中、R1 とR2 はそれぞれ同じであっても異っていてもよく、水素原子、メチル基、塩素原子、臭素原子又はシアノ基を表す。Xは単結合又は2価の有機連結基を表す。Pは炭素数6〜14個の(n+1)価の芳香環基を表す。Yは電子供与性基を表す。Zは末端に-CH2 OR3 基を有する有機官能基を表す。R3は水素原子又は炭素数1〜20個の炭化水素基を表す。nは0から3までの整数である。nが2〜3の場合、Yはそれぞれ同じであっても異っていてもよい。
IPC (11件)：
G03F 7/11 503
, C09D 5/00 PPQ
, C09D129/10 PFP
, C09D133/06 PFY
, C09D133/24 PFW
, G03F 7/004 506
, H01L 21/027
, C08F216/14 MKZ
, C08F220/40 MMV
, C08F220/54 MNJ
, C08F299/00 MRN
G03F 7/11 503
, C09D 5/00 PPQ
, C09D129/10 PFP
, C09D133/06 PFY
, C09D133/24 PFW
, G03F 7/004 506
, C08F216/14 MKZ
, C08F220/40 MMV
, C08F220/54 MNJ
, C08F299/00 MRN
, H01L 21/30 574
