特許
J-GLOBAL ID：200903012287070270
ポリシリコン薄膜トランジスタを備えるスタック型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275652
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 上部TFTの水素化が充分に行われて特性(ON電流、OFF電流の特性)が向上し、水素化の時下部トランジスタは水素から遮断されてホットキャリアに対する信頼性が向上したポリシリコンTFTを備えるスタック型トランジスタ及びその製造方法の提供。【構成】 ?@ポリシリコンTFT6を備え、かつその下部に他のトランジスタ7(MOSFET)を備えるスタック型TFTであって、上部TFTと、下部トランジスタとの間の層間絶縁膜を水素拡散阻止材料2(SiN)により形成し、かつ上部TFT6と下部トランジスタ7との間の配線を水素透過性の小さい導電材料1(Ti)から形成。?AH拡散源(P-SiN)とTFTとの間の水素透過阻止層(Ti)に開口を形成して、この開口から水素化を行う。
請求項（抜粋）：
ポリシリコン薄膜トランジスタを備え、かつその下部に他のトランジスタを備えるスタック型薄膜トランジスタであって、上部ポリシリコン薄膜トランジスタと、下部トランジスタとの間の層間絶縁膜を水素拡散阻止材料により形成し、かつ上部ポリシリコン薄膜トランジスタと下部トランジスタとの間の配線を水素透過性の小さい導電材料から形成することを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタを備えるスタック型トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 381
, H01L 29/78 311 C
