特許

J-GLOBAL ID：200903012287826099

半導体装置及びその製造方法

発明者： 青木 浩 ,  阿左見 純子
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-205529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023093
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 単一基板に形成される高電圧トランジスタおよび低電圧トランジスタの両者のいずれにも性能の低下を招くことのない半導体装置を提供する。【解決手段】 第1および第2の各半導体素子の一対の不純物領域は、所定の不純物濃度を示す第1の不純物区域と、該第1の不純物区域と同一の導電型を示しかつ該第1の不純物区域の濃度よりも低い不純物濃度を示す第2の不純物区域とを備える。第1の半導体素子の前記第1の不純物区域には、伸長部が設けられている。さらに、第1の半導体素子の前記一対の不純物領域のそれぞれは、該不純物領域の前記第2の不純物区域の導電型と逆の導電型を示しかつ当該不純物領域の前記第2の不純物区域を抑制する第3の不純物区域を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される第1および第2の半導体素子であって第2の半導体素子が第1の半導体素子の動作電圧よりも高い動作電圧で動作され、それぞれが前記半導体基板上に形成されるゲートおよび該ゲートの両側で互いに間隔をおいて前記半導体基板に形成される一対の不純物領域を備える第1および第2の半導体素子を含み、前記第1および第2の各半導体素子の前記一対の不純物領域は、それぞれ前記半導体基板の導電型と逆の導電型を示す不純物により所定の不純物濃度を示す第1の不純物区域と、該第1の不純物区域からそれぞれのゲートに向けて伸長し第1の不純物区域と同一の導電型を示しかつ該第1の不純物区域の濃度よりも低い不純物濃度を示す第2の不純物区域とを有し、前記第1の半導体素子の前記第1の不純物区域には、該不純物区域から伸長する前記第2の不純物区域の上方で前記基板面に沿って互いに相近づく方向へ伸長しそれぞれの伸長端が相互に間隔をおく伸長部が形成され、さらに、第1の半導体素子の前記一対の不純物領域のそれぞれは、該不純物領域の前記第2の不純物区域の導電型と逆の導電型を示しかつ当該不純物領域の前記第2の不純物区域を規制する第3の不純物区域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 L

Fターム (28件)：

5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC19 ,  5F048BC20 ,  5F048BD04 ,  5F048DA25 ,  5F140AA21 ,  5F140AA23 ,  5F140AA25 ,  5F140AB01 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH36 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01