特許
J-GLOBAL ID：200903012303842741
自己整列的に部分的に深く拡散したエミッタの太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-514376
公開番号（公開出願番号）：特表平11-512886
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】自己整列金属電極(14)と、電極に覆われていない表面の下方の比較的浅いエミッタ領域(22)によって接合された下方の比較的深いエミッタ領域(21)とを有する太陽電池(10)は、シリコン半導体基板(12)の前面および背面上にそれぞれ、比較的浅いp+拡散領域およびn+拡散領域を形成し、アルミニウムを基板の前面上に所望の電極パターンでスクリーン印刷し、作製中の電池を熱処理し電極パターンの下方に比較的深いp+型エミッタ領域(21)を形成し、同時に基板表面の覆われていない部分上に酸化パッシベーション層(18)を成長させ、前面の電極で覆われていない領域に反射防止コーティング(19)を付与し、前面上の電極および太陽電池の背面上に銀(20)をスクリーン印刷することによって、半導体基板(12)内に形成される。
請求項（抜粋）：
太陽電池であって、 第1の表面と第2の表面とを有する半導体基板と、 前記第1の表面および第2の表面のうちの一方に、比較的低いドーパント濃度で比較的浅い深さに形成された第1の複数のエミッタ領域と、第1の表面および第2の表面のうちの前記一方に、前記第1の複数の領域よりも比較的高いドーパント濃度で前記第1の複数の領域よりもかなり深い深さまで形成された第2の複数のエミッタ領域とを備え、前記第1の複数の領域と第2の複数の領域が交互に配置され、前記太陽電池がさらに、 表面電界を与えるために前記第1の表面および第2の表面のうちの前記他方に形成されたドーパント領域と、 前記ドーパント領域上に形成されたオーミック接点と、 前記第2の複数のエミッタ領域上に形成されたアルミニウムを含む第1のパターン化オーミック電極層とを備えることを特徴とする太陽電池。
引用特許：
引用文献：
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