特許

J-GLOBAL ID：200903012309793289

記憶装置

発明者： 日高 秀人
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202659
公開番号（公開出願番号）：特開2004-046962
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】選択メモリセルとリファレンスセルとの電気抵抗差に基づいてデータを読出す記憶装置において、アドレス選択に依存したデータ読出マージンの低下を防止する。【解決手段】電気抵抗の高いソース線SL1〜SLn,SLd0,SLd1は、リファレンスセルRMCと同一方向に沿って配置される。選択メモリセルRMC♯および選択リファレンスセルRMC#を通過する電流経路の間で、リファレンスセルRMCと交差する方向に配置された配線上での経路長は、アドレス選択結果にかかわらず自然に均衡する。したがって、これらの電流経路間の電気抵抗差は、アドレス選択にかかわらず、選択メモリセルRMC♯および選択リファレンスセルRMC#の電気抵抗差を反映するようになるので、データ読出マージンが向上する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

各々が記憶データに応じて2つのレベルの電気抵抗の一方を有する複数のメモリセルと、各々が前記2つのレベルの中間レベルの電気抵抗を有する複数の参照セルとが行列状に配置されたメモリアレイを備え、 前記複数の参照セルは、前記行および列の一方に沿って、前記行および列の他方を前記複数のメモリセルと共有するように配置され、 前記行にそれぞれ対応して配置され、選択行において活性化される複数のワード線と、 前記列にそれぞれ対応して配置される複数のデータ線と、 前記行および列の前記一方にそれぞれ対応して配置され、各々が固定電圧を供給する複数のソース線とを備え、 前記複数のメモリセルの各々は、前記複数のデータ線の対応する1本と前記複数のソース線の対応する1本との間に直列に接続された、前記記憶データに応じて電気抵抗が変化する記憶素子および対応するワード線の活性化に応答してオンするアクセス素子とを含み、 前記複数のデータ線は、 データ読出時に、前記複数のメモリセルのうちの、データ読出対象に選択された選択メモリセルと接続される第1のデータ線と、 前記データ読出時に、前記複数の参照セルのうちの、前記選択メモリセルとの間で前記行および列の前記他方を共有する選択参照セルと接続される第2のデータ線とを含み、 前記データ読出時に前記第1および第2のデータ線を前記固定電圧と異なる電圧と結合して、前記選択メモリセルおよび前記選択参照セルをそれぞれ通過する第1および第2の電流経路を形成させるデータ読出回路をさらに備え、 前記データ読出回路は、前記第1および第2の電流経路の電気抵抗差に基いて、前記選択メモリセルから前記記憶データを読出す、記憶装置。

IPC (3件)：

G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (4件)：

G11C11/15 130 ,  G11C11/15 150 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (10件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜磁性体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346896   出願人：三菱電機株式会社
• 薄膜磁性体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-020277   出願人：三菱電機株式会社
• MRAM構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-311810   出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト