特許
J-GLOBAL ID：200903012317131414
化学的攻撃ガス環境に露出されるプラズマ処理室の加熱金属表面用セラミック保護及びその加熱金属表面の保護方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056134
公開番号（公開出願番号）：特開平8-071408
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 プラズマ処理装置の電極材料としてアルミニウムのような適合金属を使用することができ、一方プラズマに生成された攻撃的化学種による攻撃に抵抗することができる表面をそのアルミニウム電極と保護セラミック表面との間の従来技術の不一致を受けることなく設ける。【構成】 非結合セラミック保護は、材料の処理中プラズマに生成された化学的攻撃化学種による加熱金属表面の攻撃を防止又は阻止するためにプラズマ処理チャンバ内の金属表面、特にプラズマ処理チャンバ内の加熱金属電極にセラミック材料を金属表面に結合せずに設けられる。セラミック保護材料は加熱金属に密接に、しかし結合されずに取り付けられる薄いカバー材料を含むものである。このセラミック保護形態は、集積回路構造を形成する半導体基板を処理する為に用いられるプラズマ処理チャンバ内のグロー放電電極及びガス分散装置の表面を保護するのに有効である。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に発生したプラズマによって生成された化学種による攻撃(attack)から保護される金属表面を有するプラズマ処理チャンバであって、良好な誘電性、良好な熱導電性及び良好な熱衝撃耐性を特徴とし、前記金属表面と前記プラズマとの間に取り付けられ、前記金属表面と接触しているがそれに結合されないセラミック表面を含み、そのことにより前記金属表面を保護すると共に前記金属表面と前記セラミック表面との間の熱膨張速度不一致(mismatch)から前記保護セラミック表面に対する損傷を緩和するプラズマ処理チャンバ。
IPC (4件)：
B01J 19/00
, B01J 19/08
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
