特許

J-GLOBAL ID：200903012317485828

半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス

発明者： 酒井 啓太
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 岸田 正行 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265689
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111587
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 被露光基板から発生するガスにより投影光学系が汚染される。【解決手段】 投影光学系6からの露光光17により半導体基板10を露光する半導体製造用露光装置において、投影光学系と基板との間に、露光光を通過させるためのシャッター状の光学系汚染防止用遮蔽部材14を設ける。

請求項（抜粋）：

投影光学系からの露光光により半導体基板を露光する半導体製造用露光装置において、前記投影光学系と前記基板との間に、露光時に露光光を通過させるための開口を開き、非露光時に前記開口を閉じる遮蔽部材を設けたことを特徴とする半導体製造用露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 515 E ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-266821
  
• 紫外線照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195706   出願人：株式会社ニコン