特許
J-GLOBAL ID：200903012321841019
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184795
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022265
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 NFPの改善されたブロードストライプレーザを簡単な構造で容易に製造する。【解決手段】 ブロードストライプレーザチップ11の光共振器を形成する2つのへき開面13、14のうち、光出射側の面14に、ストライプ状発光領域12の幅Wの方向に並ぶスリット18を有する光阻止層17を設けて、そのスリット18の各々を通って出射したレーザ光を合成する。
請求項（抜粋）：
幅の広いストライプ状発光領域が設けられた化合物半導体レーザチップと、該チップの光共振器を構成する両へき開面のうちの出射端側の面に、上記ストライプ状発光領域の幅方向に並ぶ複数のスリットを有するように設けられた光阻止層とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (5件)：
5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073CA01
, 5F073EA18
, 5F073EA24
