特許

J-GLOBAL ID：200903012323837353

半導体発光装置

発明者： 大塚 一昭 ,  武沢 初男 ,  玉谷 正昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-299421
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114637
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】 蛍光体による波長変換を利用しつつ高輝度化(すなわち高出力化)された半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の波長の光を放出する半導体発光素子と、前記第1の波長の光を吸収し波長変換して前記第1の波長と異なる第2の波長の光を放出する第1の蛍光体と、を備え、前記第1の蛍光体は、(Me1-yEuy)2SiO4(ただし、MeはBa,Sr,Ca、Mgの中から選ばれるアルカリ土類金属元素であり、yは0よりも大きく1以下である)を主成分とし、前記第1の蛍光体の粒径は、10マイクロメータ以上であることを特徴とする半導体発光装置を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の波長の光を放出する半導体発光素子と、 前記第1の波長の光を吸収し波長変換して前記第1の波長と異なる第2の波長の光を放出する第1の蛍光体と、 を備え、 前記第1の蛍光体は、(Me1-yEuy)2SiO4(ただし、MeはBa,Sr,Ca、Mgの中から選ばれるアルカリ土類金属元素であり、yは0よりも大きく1以下である)を主成分とし、 前記第1の蛍光体の粒径は、10マイクロメータ以上で50マイクロメータ以下であることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (4件)：

5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041DA45 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子とこれを用いた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-305031   出願人：松下電器産業株式会社