特許

J-GLOBAL ID：200903012326819356

半導体装置の耐熱電極

発明者： 神山 栄治 ,  府瀬川 和宏 ,  伊藤 輝三 ,  富山 能省
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098486
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293522
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 150°C以上の高温に対して耐熱性があり、Auパッド部の密着強度が高くAuパッド部に剥離現象を生じず、しかもAuワイヤのボンディング性が良好な半導体装置の耐熱電極を得る。【構成】 半導体チップ11上に形成された高融点メタルシリサイドからなる配線部15と、この配線部上に形成されTiN,TaN,ZrN,VN又はHfNのいずれかからなるバリアメタル層18と、このバリアメタル層上に形成されTi,Ta,Zr,V又はHfの金属薄膜21aと、この金属薄膜上に形成されたNi薄膜21bと、このNi薄膜上に形成されたAuパッド部19とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体チップ(11)上に形成された高融点メタルシリサイドからなる配線部(15)と、前記配線部(15)上に形成されTiN,TaN,ZrN,VN又はHfNのいずれかからなるバリアメタル層(18)と、前記バリアメタル層(18)上に形成されTi,Ta,Zr,V又はHfのいずれかからなる金属薄膜(21a)と、前記金属薄膜(21a)上に形成されたNi薄膜(21b)と、前記Ni薄膜(21b)上に形成されたAuパッド部(19)とを備えた半導体装置の耐熱電極。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/28 301 T